產業評析 　 2025/02/17

化合物半導體大廠羅姆（ROHM）宣布，採用TOLL（TO-LeadLess）封裝之650V耐壓氮化鎵（GaN）HEMT正式投入量產，並於本月份開始銷售，在工業設備、車載及需要支援大功率的應用領域被陸續採用。該晶片前段製程由台積電(2330)生產，後段則外包予日月光(3711)轉投資日月新半導體（威海）封裝。

羅姆表示，利用垂直整合生產體系中所累積的元件設計技術和自家優勢，進行相關設計和規劃，去年12月宣佈以此作為與台積電合作的一環，前段製程在台積電生產，後段封裝則在日月新生產。


另外，羅姆還計畫與日月新合作生產車載GaN元件。該公司預計從2026年起，GaN元件在汽車領域的普及速度將會加快，羅姆計畫在加強內部開發的同時，進一步加深與合作夥伴之間的關係，加快車載GaN元件投入市場的速度。

羅姆表示，提高電源和馬達等用電量占全球一半的應用的效率，為目前業界關注議題，其中功率元件正是提高其效率的關鍵，特別是SiC（碳化矽）、GaN等新世代半導體材料將有望進一步提高各類型電源的效率。而羅姆所採用TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優異的電流容量和開關特性。

羅姆於2023年4月將650V耐壓的第一代GaN HEMT投入量產，並於2023年7月將閘極驅動器和650V耐壓GaN HEMT一體化封裝的Power Stage IC投入量產。為了對應大功率應用的進一步小型、高效率化的市場要求，羅姆採用在過往DFN8080封裝基礎上追加的形式，來強化650V GaN HEMT的封裝陣容。在TOLL封裝中內建第二代元件並產品化。