今年半導體資本支出估增20% 將創歷史新高 設備廠飄香
2017/09/01 10:35 鉅亨網 鉅亨網記者蔡宗憲 台北
半導體產業上半年資本支出金額顯著成長，研調機構 IC Insights 一舉上調全年資本支出金額，估達 809 億美元，較去年成長 20%，可望創歷史新高，其中 DRAM 產業大擴產，資本支出金額估較去年成長 53%，為各領域之冠，其次是 FLASH 的成長 33%。
IC Insights 上調的資本支出金額，也優於先前預估的 756 億美元，較去年成長 12% 還樂觀，顯示整體產業景氣持續擴張中；受到半導體資本支出金額成長帶動，台灣相關設備廠商，包含京鼎 (3413-TW)、帆宣 (6196-TW)、弘塑 (3131-TW) 等廠商，營運表現皆可望受惠。
IC Insights 指出，今年半導體產業資本支出金額，28% 集中在晶圓廠，24% 則在 NAND FLASH，兩者就占整體資本支出金額的 52%，DRAM 占比約 16%，不過以支出金額成長幅度來看，今年 DRAM 產業資本支出金額估較去年成長 53%，為各領域之冠，其次才是 FLASH 的 33%，晶圓代工雖然金額比重大，但今年資本支出金額較去年僅成長 4%。
IC Insights 表示，由於 DRAM 價格自去年第 3 季開始揚升，各家製造廠因此同步花費增加產能，海力士近期就指出，單靠製程升級帶動，已無法滿足市場需求，因此必須開始增加產能。
雖然今年 DRAM 產業資本支出大幅增加，不過 FLASH 整體支出金額仍比 DRAM 多，IC Insights 表示，今年 FLASH 產業資本支出多用在 3D NAND 產能建置上，今年 FLASH 資本支出金額估較去年增加 33%，創下 2016 年當年成長 23% 以來最高。
不過，IC Insights 認為，記憶體產業當中，每次過多的資本支出與擴產，最後都會導致產能過剩以及產品價格下滑，近年海力士、美光、英特爾、東芝等皆宣布將大幅提升 3D NAND 的產能規模，可預期未來 NAND 的風險也將持續增加。