台積電28奈米技術納入低耗電製程 2010年Q3試產
2009/08/24 19:30 鉅亨網
【鉅亨網記者葉小慧 台北】 台積電 2330(TW) 今 (24) 日宣布，已將低耗電 製程納入 28 奈米高介電層/金屬閘 (High-k Metal Gate，HKMG) 製程的技術藍圖，預計於 2010 年第 3 季進行試產 (Risk Production)。
台積電去 (2008) 年 9 月發表 28 奈米技術以來 ，技術的發展與進入量產的時程皆按預期計劃進行。
台積電指出，就試產時程順序而言，低耗電氮氧化 矽 (簡稱28LP) 製程預計於 2010 年第 1 季底進行試 產，高效能高介電層/金屬閘 (簡稱28HP)製程則預計於 2010年第 2 季底開始試產，而低耗電高介電層/金屬閘 (簡稱28HPL) 製程的試產時程，將於2010年第 3 季進 行試產。
台積電表示，28HPL 製程採用 gate-last 方法， 是 28HP 製程的延伸，強調低耗電、低漏電，但仍能維 持中高效能。28HPL 製程適用於行動電話、精巧型隨身 易網機 (smart netbook)、無線通訊、可攜式消費性電 子等多種的低耗電應用。
28HPL 製程有完備的元件支援，適用於通用型市場 應用的系統單晶片 (SoC)平台，與 28LP 製程在特色上 各有所強。28LP 因延伸自氮氧化矽 (SiON) 製程，因 而成本更低、且有利於快速上市，尤其適用於手機與手 持裝置的應用。
此外，台積電 28HP 製程也採用 gate-last 方法 ，適合中央處理器 (CPU)、繪圖處理器 (GPU)、晶片組 (Chipset) 與可程式化閘陣列 (FPGA)、遊戲主機與行 動計算等高效能導向的應用。
台積電研究發展副總經理孫元成表示，技術發展過 程中，採用 gate-last 的方式來發展 28HPL 相關技術 ，就其在電晶體特性、利於高階與低階應用的優勢及可 製造性的這些方面，都比 gate-first 方法來得好。
台積電先進技術事業資深副總經理劉德音指出，在 HKMG 製程中的低耗電應用上，已與客戶共同發展了好 一段時間，將 28HPL 納入 28 奈米製程系列，再加上 28LP 與 28HP 兩項製程，台積電提供給業界最全面的 28 奈米製程組合。
為將 28 奈米製程的功效，在全系列各式不同客戶 產品中充分發揮，台積電強調，已與客戶和設計夥伴密 切合作，在開放創新平台(Open Innovation Platform& #8482;，OIP)上提供完備的設計架構。開放創新平台係 由台積公司主導，並開放給客戶與夥伴參與。