世界首個HBM4量產體系！SK海力士大突破 領跑全球AI記憶體

• 2025.09.12 
 
• 09:30 
 
• 工商時報  林育萱

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南韓SK海力士。圖／美聯社
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生成式AI帶動HBM（高頻寬記憶體）需求激增，全球三大記憶體巨頭美光、SK海力士與三星電子紛紛押注新一代高頻寬記憶體HBM4。韓國半導體大廠SK海力士今（12）日率先宣布，已成功完成次世代高效能記憶體HBM4的開發，並率先建立全球首個量產體系，宣示在AI記憶體領域的技術領導地位。
韓媒《ZDNET Korea》引述公司說法指出，HBM4將成為推動新一代AI發展的關鍵技術，此次成果不僅是產品創新，更再次印證了SK海力士在全球市場的優勢。負責HBM開發的副總裁趙柱煥（音譯）表示，HBM4的問世是產業的重要里程碑，公司將確保能及時提供滿足效能、能效與可靠性需求的產品，以鞏固市場競爭力並加速商用。
隨著AI應用與數據處理需求爆炸性成長，高頻寬記憶體需求持續飆升，同時數據中心龐大的耗電問題也讓能源效率成為企業核心訴求。SK海力士強調HBM4在頻寬與能效上的提升，正是解決這些挑戰的最佳方案。
技術層面上，HBM4導入2048條數據通道，頻寬相較前一代翻倍，能效提升逾40％，實現全球最高水準的數據處理與功耗表現。公司預估，導入HBM4後，AI服務效能可望最高增加69％，能有效解除資料瓶頸，並降低資料中心電力成本。該產品運行速度更突破10Gbps，遠超國際半導體標準組織JEDEC規範的8Gbps。
此外，SK海力士在開發過程中，採用了市場已驗證的MR-MUF技術以及第五代10奈米級（1b）DRAM製程，以確保產品穩定性並將量產風險降到最低。
HBM市場目前由SK海力士、美光與三星三強分庭抗禮。隨著AI應用需求暴增，HBM3E已陷入供不應求，市場對HBM4的期待度也因此倍增。
不只SK海力士全力搶攻HBM4市場主導權，美光6月時就宣布已將最新12層堆疊、容量達36GB的HBM4，送樣給多家全球客戶。該產品採用先進的1β DRAM製程，搭配2048位元寬高速介面，單堆疊傳輸速率突破2.0 TB／s，效能較前一代HBM3E提升超過60％，能源效率亦提升逾20％，預計2026年正式量產。
另據業界消息指出，三星7月送樣給輝達（Nvidia）的HBM4，已通過初步品質與可靠度測試，並在8月底進入「Pre-Production（PP）」階段，若最終測試順利，最快將於2025年11月至12月正式量產。