2025/11/27 12:18  
中國長鑫LPDDR5圖片。（擷取自CXMT中國官網） 
〔財經頻道／綜合報導〕中國記憶體晶片製造商長鑫儲存（CXMT）正式發布其最新一代DDR5和LPDDR5X產品。對此，韓媒《Business Korea》指出，在記憶體晶片領域，中韓的技術差距正在急速縮小，目前在通用DRAM市場的差距已不到一年；從技術路線來看，其新品的速度比前一代也提升25%。
更大的衝擊，是韓系大廠在中國的龐大營收恐動搖。數據顯示，三星與海力士2024年在中國合計銷售高達87.3兆韓元（約新台幣1.86兆元），佔2家公司總營收近24%。如今CXMT說得更直接，其新產品「將成為減少對海外公司依賴的替代方案」。
半導體產業認為，CXMT發布的DRAM性能值得關注。該公司宣稱，其DDR5的最高速度可達每秒8000兆位元（Mb/s），比上一代產品6400 Mbps提升了25%。評估半導體公司能力的標準包括技術路線圖、良率（合格產品佔總產量的比例）和量產能力。
根據CXMT的新產品發布表明，至少在技術路線圖方面，已經趕上了韓國DRAM公司。
據報導，直到去年底前，中國記憶體廠如長鑫存儲（CXMT）一直是「低價大量突擊」策略，主攻DDR4等成熟規格的DRAM，低成本、高出貨供應中低階PC與智慧手機。但今年初，中國政府將「高階 DRAM 國產化」視為國家級任務後，短短11個月CXMT就公開展示出性能逼近韓國大廠水準的先進DRAM，整個產業的氣氛完全逆轉。
韓媒指出，在11月底北京舉行的「IC China 2025」展會上，CXMT一口氣秀出7款高階DRAM，包括DDR5、LPDDR5X與多種模組產品，而由中國龍頭DRAM廠正式亮相新品，是史上頭一遭。
憑藉龐大的中國內需市場、政府補貼，以及從韓、日、台大量吸收工程人才，中國半導體的追趕速度遠超預期。
從市佔來看，CXMT在今年第3季DRAM市場拿下8%、排名第4。在NAND市場，中國長江存儲（YMTC）取得13%，其270層NAND已接近三星最新的286層產品。
CXMT預計，最快明年就會量產DDR5與LPDDR5系列，全面攻進伺服器、PC 與旗艦手機市場。其每月約27萬片的產能，雖僅為三星與海力士的42%-53%，但已足以在全球記憶體供需緊俏之際形成強烈變數。
報告指出，儘管美國對EUV等關鍵設備出口中國實施封鎖，限制了中國廠商的技術發展速度，但韓國業界專家普遍認為，在通用 DRAM領域，雙方的技術差距已縮短至不到一年。首爾大學材料系黃哲成教授直言，若只看技術水準，韓國與中國的記憶體差距幾乎已經消失。
不少研究指出，一旦中國全面量產高階DRAM，可能會成為下一輪「記憶體超級循環」中的關鍵變數。在3D DRAM時代到來後，中國甚至可能進一步搶下領先優勢。