2025/12/09 14:21  
瑞銀預測，美光傳統記憶體DDR毛利率將首次超過HBM。（示意圖，路透）
〔財經頻道／綜合報導〕瑞銀最新報告指出，在全球記憶體產能大舉轉向HBM之際，傳統 DRAM，特別是DDR記憶體，正因供給被嚴重擠壓、需求卻依然穩健，出現罕見的「供需錯配紅利」，獲利能力反而將首度超越HBM。
數據預測，2026年第一季，美光傳統DRAM營收預估為82.2億美元（約新台幣2562億元）、出貨量僅季增1%，但平均售價卻大漲16%，推升毛利率一舉來到60%，與HBM的63% 幾乎持平。進入第二季後，傳統DRAM毛利率可望正式反超HBM，並一路拉開差距。
瑞銀認為，美光2026年第二季傳統DRAM毛利率將達到67%，不僅改寫歷史新高，也將首次超過HBM的62%，這樣的優勢還會持續擴大，第三季可達71%、第四季甚至上看75%。
瑞銀指出，過去市場目光幾乎全數集中在HBM，認為這才是記憶體廠的獲利引擎，但供應鏈調查顯示，全產業新增產能幾乎都被HBM吸走，反而讓傳統DDR供應變得極為緊張。這一切的關鍵，在於HBM技術難度高、良率改善有限，成本下降速度放緩，反觀傳統DRAM在供給受限下，價格成為最大推力。
專家指出，長期來看，HBM仍是美光中長期成長的核心引擎。瑞銀預估，2026年HBM營收將達130.5億美元（約新台幣4068億元），2027年進一步成長至212.4億美元（約新台幣6621億元），佔總營收比重將從2025年的17%拉升至2027年的26%。只是短期內，受限於產能瓶頸，HBM 的季成長動能將略有放緩。
瑞銀強調，本輪半導體景氣循環的「耐久度」可能遠超市場原先想像。由於HBM對晶圓產能的消耗極大，等於對傳統記憶體市場形成長期「擠出效應」，使整體供給結構性偏緊，為美光這類龍頭廠商建立更深的護城河。
瑞銀直言，直到2027年之前，全產業若有產能增量，幾乎都將優先流向HBM。