星鏈 發達集團風紀稽核
來源:財經刊物   發佈於 2012-01-13 10:40

集邦:產品開發、核心技術,DRAM未來獲利關鍵

10:34:29 《科技》集邦:產品開發、核心技術,DRAM未來獲利關鍵
【時報記者沈培華台北報導】集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange最新報告指出,DRAM產能的擴充將漸趨理性,供給面改善,但需求減緩的情況下,後標準型DRAM時代將來臨,產品開發與核心技術將是未來獲利關鍵。 綜觀整體DRAM市場的獲利關鍵,幾乎都是來自於產能的擴充與製程不斷的再精進,從早期的90nm、65nm製程至今已來到30nm、甚至20nm製程,製程的微縮雖使成本持續下降,但同時伴隨著是顆粒數的高成長,加上近年PC出貨年成長已大幅趨緩,記憶體搭載容量亦失成長動能,DRAM產業在需求力道不再強勁的影響之下,獲利難度越來越高。 集邦科技預估,2012年DRAM市場的發展將會產生重大的變革。首先,DRAM產能的擴充將漸趨理性,加上轉進20nm難度極高、且需要高額的資本支出購買EUV等先進機台,即使龍頭三星半導體亦不得不在製程精進上放慢腳步,因此集邦科技預估,今年整體DRAM的年供給位元成長率僅有22%,較前數年動輒50%的年成長已大幅趨緩。 不如預期的是,供給位元的減緩並不足以代表整體DRAM產業供過於求的頹勢獲得即時紓解,而是代表各DRAM廠獲利的關鍵必須轉向核心技術開發能力再作競爭,例如隨著智慧型手機與平板電腦的興起,帶動行動式記憶體的需求,如已在2011年第四季成為行動式記憶體出貨主流LPDDR2,或者是今年下半年即將量產的LPDDR3,甚至是Wide-IO與LPDDR4,能夠擁有核心技術的DRAM廠便是獲利贏家。 同時,雲端需求的興起亦使原本深耕於伺服器記憶體的DRAM廠獲益,DDR3的4Gb-Mono顆粒成為另一個獲利指標。甚至在標準型DRAM上,今年亦有許多產品以DDR3為基礎上再進化,如著眼於Ultrabook的興起,為了精進省電效能以延長使用時效,廠商已開發出低電壓版的DDR3L,在省電機制的強化上亦發展出DDR3M的產品,甚至有廠商有考慮將GDDR導入標準型記憶體中,在繪圖上與遊戲上可以有比標準型記憶體更佳的表現。DRAM廠在後續的獲利競賽仍有一番激烈競逐,落後者勢必逐漸將產能退出,唯擁有核心技術力的DRAM廠才有機會在後續市場中持續獲利與生存。

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