我半導體元件製備研究 可望重大突破
2015-08-03 18:53:03 經濟日報 記者江睿智
目前國際半導體大廠如Intel、台積電及三星等廠商最小元件技術大約落在7 至10奈米之間，如何克服製程微縮的難題並使材料創新，是帶領半導體產業進入下一個新世代的關鍵。
台籍科學家李連忠博士(前中研院研究員)組成跨國研究團隊，發展出單層二硫化鉬及單層二硒化鎢的完美P-N接面(註1)，可望進一步成功解決半導體元件製備的關鍵問題，未來可廣泛應用於極度微小化的電子元件，該項研究成果發表於最新一期國際頂尖期刊《SCIENCE》中。
二硫化鉬是繼石墨烯之後，備受國際科學家關注的層狀材料，單層的二硫化鉬具有良好發光效率、極佳的電子遷移率(可快速反應)與高開關比(電晶體較穩定)，可用於未來新型低耗能邏輯電路，極有可能取代目前使用的矽晶片做為下一世代的主要核心元件。
科技部指出，這項榮登《SCIENCE》研究成果是一跨國大規模合作計畫，成員包括我國、沙烏地阿拉伯、日本。
李連忠博士於2012年領先全球率先利用化學氣相沈積法製備出高品質二硫化鉬單層單晶，該成果確認了化學氣相沈積法技術的可靠性，並為二硫化鉬及相關的無機二維材料電子學研究及應用奠定了材料基礎，被公認為是繼石墨烯之後，二維材料領域的重大突破，將有助於二硫化鉬等材料未來應用於2奈米半導體製程技術之中。