5奈米IC省電速度快 國研院研發有成
http://news.gpwb.gov.tw/p/b_F0101/20151223/0035746.jpg 從電子顯微鏡圖中可看出厚度僅4奈米（6層原子）的二維二硫化鉬，完美結合在鰭式電晶體上。 （科技部提供）
記者黃朝琴／臺北報導2015-12-23
臺灣半導體領先全球，新創IC技術備受科學界矚目。電子產品輕薄短小，半導體原件日趨微小化，全球最先進的積體電路（IC）量產技術，電晶體的電流通道寬度距離為14奈米，但國家實驗研究院已著手研究5奈米的IC，從材料和結構入手，成功研發出比現行更省電、運算速度更快的IC，且獲選國際電子元件會議的焦點論文，最快5年後正式導入產業界量產。
國家實驗研究院「奈米元件實驗室」昨日發表2項最新技術，包括「奈米級菱形鍺高速通道技術」及「原子級二硫化鉬二維通道技術」，從結構和材料著手，將電晶體的材料「鍺」做成菱形，另外使用新材料「二流化鉬」進行異質整合，加快電流傳輸，且減少漏電，我國半導體技術更上層樓。
國研院研究員陳旻政表示，從筆電、智慧型手機，到智慧手錶、穿戴式攝影機，其電子原件（記憶體、CPU）都是由IC組成，而IC以晶圓為材料，晶圓採用矽當導體，半導體業皆以矽製造電子元件；半導體業概分為IC設計、晶圓製造、IC封裝3類，因應電子產品輕薄短小，產業追求電晶體微小化，IC可容納的電晶體數目不斷增加，電流的通道寬度也持續變窄，其目的在於加快電流傳輸，達到快速運算，還有節能功效。