AI晶片功耗衝破千瓦！矽電容成先進封裝供電新救星　台廠積極搶進拚商機
戴嘉芬
2026年8月22日週六 上午7:40

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輝達Blackwell、Rubin新世代GPU功耗突破1000W，封裝級矽電容趁勢崛起。路透社
隨著輝達 Blackwell、Rubin 等新一代 AI 晶片功耗突破1000W，龐大電流導致供電路徑過長與電壓驟降，傳統電力完整性面臨嚴峻挑戰。為了解決 AI 資料中心與高階晶片封裝的供電瓶頸，更貼近晶片的「封裝級矽電容（Si-Cap）」應運而生，成為先進封裝領域不可或缺的關鍵元件。
什麼是矽電容？先進封裝中的供電新星
矽電容（Silicon Capacitor，簡稱 Si-Cap）原理是以半導體製程在矽基板上進行蝕刻或堆疊形成電容結構。它具備高電容密度、極薄與面積小等特性，能直接整合於先進封裝內部，因極度貼近晶片而能有效強化電源完整性，技術結構涵蓋深溝槽、薄膜及堆疊式等。
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矽電容三種主流技術。太報繪製
相較於傳統的 MLCC（積層陶瓷電容），矽電容的技術門檻與生產成本皆高出許多，且受限於客製化驗證週期較長，目前市場規模約23億美元（以2026年為例），僅約 MLCC 的7%。
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全球大廠競相佈局！台廠愛普走出差異化路線
目前全球矽電容市場主要由日本 TDK、村田（Murata）、韓國三星及美國 VISHAY 等一線大廠主導。其中，村田主攻嵌入式矽電容，TDK 以 TFCT 技術為核心強調基板嵌入，三星則著眼於高階封裝矽電容。台廠愛普則專注於 S-SiCap 產品線，走出差異化路線。
國票投顧認為，愛普是台灣唯一擁有自有矽電容產品的設計廠，採用DRAM堆疊電容技術，具高電容密度優勢，可整合於封裝內部，滿足AI高頻供電需求。S-SiCap 營收比重已從去年首季19%大幅成長至27%（今年Q1），成長幅度高達767%，有望於2027年逐漸放量。
力積電搶進先進封裝！獨家切入英特爾EMIB供應鏈
除了IC設計，晶圓代工廠亦積極搶進此賽道。隨著中介層（Interposer）需求強勁，力積電利用DRAM技術生產高附加價值的矽電容產品。
力積電的12吋矽電容（IPD）已通過英特爾專業認證，用於 EMIB 先進封裝，具備更小體積、更佳電源效率及貼近AI晶片的優勢。該產品於第二季放量備貨，現已有數千片生產規模，預計2027年下半年將12吋產能擴增至每月1萬片以上。力積電總經理朱憲國表示，英特爾推動的 EMIB 有望與台積電 CoWoS 分庭抗禮，在AI伺服器市場佔有一席之地。
力積電前董事長黃崇仁辭世前，曾與英特爾執行長陳立武洽談矽電容業務合作事宜。廖瑞祥攝
此外，力積電8吋矽電容也已啟動量產，首批約700片應用於光通訊領域，有機會取代傳統 MLCC；預計明年下半年月產能將達5000片規模，成為中長期營運的另一個成長動能動能。
法人認為，力積電以深溝槽製程切入矽電容代工，作為英特爾EMIB的獨家供應商，未來產能可望滿載。
華邦電異軍突起！以堆疊技術挑戰高密度與成本極限
另一方面，華邦電也在矽電容領域取得重大突破。華邦電總經理陳沛銘日前於法說會透露，公司目前量產矽電容的電容密度已超越所有同業，憑藉高毛利與強勁的AI封裝需求，吸引數家重量級客戶主動洽詢並將陸續送樣量產。
陳沛銘強調，華邦電矽電容採用獨特的 Stacking（堆疊式）技術，如同在晶片平地上蓋高樓，相較於晶圓代工廠採用的深溝槽挖掘做法，堆疊式具備極高的成本與容積優勢。隨著AI晶片功耗與速度飆升，具備薄型化與高穩定度的矽電容可望成為替代傳統 MLCC 的解方。
華邦電總經理陳沛銘曾提及，該公司目前量產矽電容的電容密度已超越所有同業。圖為華邦電總部。翻攝自公司官網
法人評估，華邦電擁有利基型 DRAM 高縱深比的電容溝槽技術，加上掌握12吋晶圓產能，搶進矽電容賽道後，將成為三星電機的潛在合作夥伴。
整體而言，隨著AI晶片功耗飆升與先進封裝技術持續演進，傳統 MLCC 已難以獨自滿足極致的電源完整性需求。具備高密度與薄型化優勢的矽電容（Si-Cap）正快速崛起，不僅吸引國際大廠重金卡位，台廠如愛普、力積電與華邦電亦憑藉各自的技術優勢切入供應鏈，預期將在未來數年成為半導體封裝領域最具爆發力的成長新引擎。