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來源:
財經刊物
發佈於 2009-05-07 17:31
DRAM現貨價 改寫今年新高
DRAM現貨價 改寫今年新高
DRAM現貨價昨晚創下1.3美元的今年新高,截至今午盤,仍持續走揚,DDR2 1Gb eTT每顆報價走揚1.85%,達1.32美元,持續改寫今年新高,由於目前的價位已可使部分業者的現金轉為流入,後續報價能否續攻,將是業者營運轉機關鍵。
DRAM股今開高面臨反壓,惟力晶(5346)、華亞科(3474)表現抗跌,而被打入全額交割的南科(2408)今也打開跌停,爆出逾10萬張巨量。
DRAM現貨價格持續上漲,根據集邦科技的資料顯示,昨晚1GB DDR2 eTT報價平均達1.3美元,報價高低介於1.28美元至1.31美元之間,再創這一波價格反轉以來新高點,也是今年新高,價位已經突破一線大廠的現金成本,今午又持續走升,距離業者損益兩平的1.5美元價位,差距持續縮小中。
集邦科技日前預估,5月合約價將續漲10%至15%,現貨價格在一線大廠力晶與爾必達持續減產下,也將因供給吃緊而守住1.2美元價位,不致跌破,昨日公布的DRAM主流規格價位,已經攀升至1.3美元,為DRAM業者的現金由出轉入,帶來好消息。
據集邦今天中午的報價顯示,DRAM現貨價仍持續走揚,其中DDR2 1Gb eTT均價來到1.32美元,漲幅1.85%,其他品項的漲幅都比eTT還大,持續再寫新高。
由於現貨大廠力晶日前公布季報時曾表示,近期DRAM現貨價站穩1.2美元,已使得該公司回到現金成本之上,現金開始流入,因此,上季在減產效應下,虧損縮減,而本季若價格持續走揚,對其現金流出的壓力將大幅減輕。
【2009/05/07 聯合晚報】
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