日月光ADR 勁揚近4%
【經濟日報╱記者王皓正／台北報導】 2009.08.16 04:44 am
全球半導體業龍頭英特爾在越南胡志明市興建的IC封測廠，投產時間將延到明年第三季，受此訊息激勵，日月光美國存託憑證（ADR）上周五應聲上漲3.78%，是在美股下挫盤勢上唯一走揚的台灣ADR股。
英特爾是在2006年宣布興建胡志明市廠，原定今年底投產。但根據外電引述英特爾越南地區發言人表示，投產日期將延至明年第三季。
法人表示，目前英特爾後端產能仍算充足，但越南廠在公司生產規劃上具有關鍵地位。英特爾決定延後越南廠投產時程，部分訂單可望轉單，封測大廠日月光將間接受惠。
日月光ADR上周五開盤後立即大漲超過6%，即使盤中受美股走低拖累，但ADR走勢震盪持穩，尾盤小幅拉高，終場上漲0.13美元、收3.57美元、漲幅3.78%。
美國上周五公布8月初消費者信心指數意外下降，引發對經濟復甦的疑慮，美股三大指數同步下挫。其中台灣六檔ADR僅日月光走揚，其餘全數下跌。
法人表示，日月光受惠景氣復甦帶來的終端消費需求擴大，搭配整合元件（IDM）大廠委外釋單蔚為潮流，繼第二季營運較首季三級跳後，第三季接單透明度增亮不已，第四季的訂單春燕也提前來臨。
日月光第二季稅後純益16.74億元，較上季虧損15.67億元大幅好轉，單季每股純益0.32元，優於法人預估，單季毛利率為21.7%，較首季9.5%倍增；上半年稅後純益1.08億元、每股純益0.02元。
【2009/08/16 經濟日報】@ http://udn.com/