【經濟日報╱記者陳碧珠、何易霖】
DRAM需求旺，主流規格1Gb DDR2有效測試顆粒（eTT）6日站上睽違超過一年的2美元大關，這個價位足以讓南韓三星、海力士，以及瑞晶等業者轉虧為盈，景氣回春態勢更加確立。
市調機構顧能（Gartner）研究副總裁布萊恩（Bryan Lewis）也看好PC與手機將帶動DRAM與Nand需求，兩大標準品價格跌幅將持穩。顧能預估，全球DRAM與Nand兩者加起來的記憶體產值，今年衰退13.5%，明年則有16.5%的成長；DRAM今年產值衰退19.4%，明年則有24.9%的成長；Nand Flash最快也可在明年底以前復甦。
據集邦科技DRAMeXchange6日晚間最新報價，1Gb DDR2有效測試顆粒均價上揚1.6%，均價為2.02美元；1Gb DDR3晶片報價同步上漲近1%，均價為2.15美元。
累計1Gb DDR2從第二季末迄今，已有約一倍的漲幅，也帶動力晶、南科、華亞科等業者9月營收都創下至少一年來新高。力晶透露轉投資的瑞晶電子已開始獲利，第三季有機會達損益平衡。
下游模組廠營運更是火熱，繼威剛9月營收重回40億元大關之上，刷新近30個月新高，創見6日公布9月營收，月增42.5%至36.2億元；第三季營收92億元，季增率超過23%。
南科預期，需求持續吃緊，價格未來還有上漲空間；威剛預期「記憶體大行情已正式啟動」，期間長達兩年。
創見認為，隨耶誕節腳步接近，下游客戶本月補貨動作仍相當積極，預期策略性產品需求將明顯成長，營收可望維持高峰。第三季毛利率在DRAM及NAND Flash顆粒價格上漲挹注下，將保持一成以上水準。
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