長江存儲DRAM 技術突圍加速
全球市調機構披露，長江存儲正開發傳輸速率達9600MT/s的LPDDR5X記憶體，計畫在武漢Fab 3廠量產。陸媒23日指出，這是該大廠首度將自研DRAM推向高速行動記憶體市場，並導入垂直通道電晶體（VCT）與4F2單元架構。長江存儲、長鑫存儲相繼押注4F2，顯示中國記憶體廠商加速技術突圍。

據消息，長江存儲自去年10月起已在Fab 2廠研發及測試第二代16Gb LPDDR5，速率達7500MT/s，月產量約5000片晶圓，此次9600MT/s版本進一步提升傳輸速率，也顯示其試圖從既有製程跨向更先進的DRAM架構，直接挑戰三星、美光等國際大廠。

陸產業界指出，4F2是這波技術競逐的焦點，相較傳統6F2架構，4F2理論上能在相同晶片面積容納更多儲存單元，有助提高密度、降低成本。而美光近日才公開質疑4F2的微縮可行性，認為其密度優勢難以實現；長江存儲與長鑫存儲則選擇推進相關布局挑戰技術路線。

陸媒同日引述長鑫科技說法表示，從中長期來看，AI對資料吞吐量的需求持續攀升，DRAM作為關鍵基礎設施的重要性將進一步提高，中國是全球最大半導體應用市場之一，提升DRAM自給能力具現實意義，公司對中國及全球DRAM產業中長期前景保持信心。

與此同時，輝達執行長黃仁勳當地時間22日在德國柏林出席GPU技術大會（GTC）期間，被問及是否考慮與長鑫存儲合作時表示持開放態度，並肯定中國製造業及基礎設施的技術實力。相關談話帶動市場情緒，長鑫科技股價23日收盤上漲7.93％，顯示市場密切關注中國記憶體廠發展。