薄膜太陽能之路 太陽能之父馬丁格林：矽薄膜是長期王道
2009/11/14 22:28 鉅亨網
被譽為「世界太陽能之父」的馬丁格林 (Martin Green)博士14日在台灣宜蘭表示，碲化鎘或CIGS等薄膜 太陽能長期將面臨發展瓶頸，未來薄膜太陽能將以矽薄 膜為主流。
位在澳洲新南威爾斯大學的太陽能光電中心，除了 以矽晶太陽能創下光電轉換效率 25%的世界紀錄，為全 球、尤其是亞洲太陽能名人的搖籃，同時也有研究各式 各樣的太陽能，包括薄膜在內。
馬丁格林指出，碲化鎘(CdTe)的原料屬於有毒元素 ，而銅銦硒化鎵(CIGS)則多屬稀有元素，以環保和清潔 能源為前提，長遠將面臨發展瓶頸；至於矽薄膜(Silic on TF)，由於材料矽取得容易，且相對環保安全，他認 為未來也傾向往這方向發展。
馬丁格林進一步指出，目前一般熟悉的是非晶矽(a Si)薄膜或微晶矽薄膜，但他目前進行研究的是多晶薄 膜 (poli-Si thin film)，技術層面不太一樣，而現在 矽薄膜光電轉換效率最高10-11%，他的多晶薄膜在實驗 室已作到12-13%，面積相對非晶矽薄膜要更小一些。
回顧過去太陽光電研究的歷程，馬丁格林表示，確 實不斷面臨許多瓶頸，除了一一克服，矽晶太陽能光電 轉換效率也逐步接近理論最高值 29%，此外，如何將這 些研究結果商業化，會是他努力的方向。