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三星轉進20奈米製程,領先台DRAM廠二個世代
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發達集團首席分析師
來源:
財經刊物
發佈於 2011-09-23 11:24
三星轉進20奈米製程,領先台DRAM廠二個世代
三星電子(Samsung)宣布將量產20奈米製程,相對台灣DRAM廠目前的主流製程50、40奈米,三星領先台廠二個世代,競格競爭力遙遙領先。
三星電子為全球最大記憶體公司,公司宣布,最新的NAND型快閃記憶體(NAND Flash)廠房「Line-16」已開始運作。三星同時宣布,將量產業界首款採用20奈米製程技術的DDR3 DRAM。此外,全球第三大記憶體公司日商爾必達在今年中也宣布試產25奈米DDR產品。全球DRAM廠製程競賽並不會因DRAM產業低迷有所改變。
國內DRAM廠目前最先進製程技術以50、40奈米為主,南科 (2408) 、華亞科 (3474) 、力晶 (5346) 今年均積極提升至40奈米製程,三星預計明年將量產20奈米製程產品,將領先的時程擴大至二個世代以上,挾著價格優勢下,三星勢必將強者恆強。
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