華邦電「快閃」急追旺宏 詹東義：12吋90奈米助攻 差距將變小
2009/10/27 20:05 鉅亨網
【鉅亨網記者葉小慧 台北】 華邦電 2344(TW) 總經理詹東義今(27)日表示，華 邦電快閃記憶體(NOR Flash) 從今年第 4季起，由12吋 廠90奈米製程生產比重快速提高，預估在明年 7月 1日 前全數轉由90奈米生產，市占率可望逐步提高，未來 1 年可望快速拉近與旺宏 2337(TW) 之間的距離。
今年初NOR Flash大廠飛索(Spasion)申請破產保護 ，旺宏受惠轉單效益，NOR Flash 市占率持續提高，專 長NOR Flash 領域的詹東義在今年 2月回任華邦電總經 理後，帶領華邦電將NOR Flash 由 8吋廠 130和 110奈 米技術，積極轉進12吋廠90奈米技術，不但領先業界， 更持續降低生產成本。
詹東義表示，華邦電NOR Flash 在12吋廠90奈米製 程產品，已在第 3季正式完成試產、測試到產品認證， 雖然12吋送客戶認證時間較預期久，加上8 吋廠貨源不 足，影響第 3季NOR Falsh 出貨，導致業績稍顯遲滯不 前，但從第 4季起，12吋廠90奈米製程比重可望快速提 升。
旺宏目前NOR Flash主要製程仍是 8吋廠130與 110 奈米，華邦電若在明年中，成功將 NOR Flash產能由 8 吋廠轉換至 12 吋廠，並全數以90奈米製程生產，詹東 義極有信心的指出，華邦電的市占率將進一步提高，與 旺宏的差距，會在未來 1年內快速拉近、縮小。
不過，詹東義坦承，雖然華邦電能以90奈米縮小與 旺宏的差距，但旺宏在NOF Flash 產品線，包括序列式 (Serial)和平行式(Parallel)，仍較華邦電僅有序列式 產品來得齊全，因此，華邦電明年也將致力NOF Flash 產品組合的改善，產品種類會再增加。