中國加速布建記憶體版圖，補上原本空白的領域，大陸紫光集團宣布，將興建12吋廠生產DRAM（動態隨機存取記憶體），預計可在2021年投產，台經院研究員暨產業顧問劉佩真表示，大陸跨足記憶體領域，實現在儲存市場技術及產品的自主可控性，中長期來說將在記憶體供需及競爭態勢上增加變數，短期則仍有兩道門檻有待突破，但對台灣來說，最大的威脅則是人才的流失。（延伸閱讀：紅潮擴散 紫光要蓋DRAM廠）
紫光集團積極布局記憶體領域，旗下長江存儲公司主要鎖定儲存型快閃記憶體（NAND Flash），去年已投產，繼NAND之後，將與重慶市政府合作，進軍DRAM製造領域，預計今年底開工，2021年投產。
劉佩真指出，中國積極補足在記憶體版圖上的空白，早自2014年就開始逐步推動，隨著美中貿易戰的延燒，更加速在記憶體領域上的布局是必然的趨勢，目標在實現對儲存領域的技術及產品更加具有自主可控性。
她說，中長期來說，紫光投入技術壟斷、國際三大廠市場壟斷、產能投資巨大、且周期性波動劇烈的全球性記憶體行業，將增加記憶體供需及競爭態勢上的變數。
不過，短期來看，紫光集團興建DRAM廠仍有相當的門檻要突破，劉佩真表示，在DRAM領域，國際大廠早就在全球布局棉密的專利網，加上中國海外收購資產及人才的管道遭到阻絕，在缺乏技術專利及人才短缺下，短期中切入DRAM的困難度比NAND還要大。
劉佩真說，福建晉華與聯電的合作案，因美光而停擺就是一個例子；她認為，中國要在短期內跨入DRAM，難度很高；不過，中國大陸本來就積極要補足記憶體的空白版圖，紫光集團擔當其中要角，自然是必須拿出動作來。
中國大陸為了跨足半導體、記憶體領域，中芯、紫光等集團對挖角台灣人才從不手軟，包括出任紫光集團DRAM事業群執行長的高啟全，出任武漢新芯總經理兼首席執行官（CEO）的聯電前副董事長孫世偉；中芯國際則是先後挖角台積電前共同營運長蔣尚義、前研發處長楊光磊。
劉佩真表示，台灣最大的擔心就是在人才的這一塊，陸廠來台挖角的動作從來沒有停止過，從IC設計、記憶體、晶圓代工，台灣的高階人才不斷的流失，由於大陸的人才缺口相當大，未來台廠的這個威脅並不會停止，台廠要思考，如何留住記憶體的關鍵人才。