三星電子在全球首先推出30奈米級工程的DDR3
韓聯社首爾2月1日電 領先內存產業的三星電子在全球首先推出了30奈米級工程的D-Ram。
三星電子1日表示，他們成功研發了製作2兆存量DDR3內存的30奈米級工程，計劃于下半年進入批量生產。
30奈米級工程是指半導體的回路寬度只有30奈米。
該製品比40奈米級內存在生產效率方面可以提高了60%，比50-60奈米級可以省下一半的原價，所以更具有競爭力。
另外在耗電方面，30奈米級的內存比50奈米的耗電量可以減少30%，比40奈米少用15%以上。
該公司在從50奈米級發展40奈米級工程時共歷時2年4個月，這次從40奈米發展30奈米級內存工程，大幅縮減了研發時間。
三星電子的有關人士對此表示：“從D-ram的結構來說，我們之前認為40奈米級是內存的極限，不能夠再更細微。但是，我們的科技人員利用1年的時間克服了這一極限。
台灣...怎麼比...只能說韓國太猛了..