中國記憶體大軍崛起！技術猛追三星 HBM差距縮小至3年

• 2026.09.16 
 
• 16:34 
 
• 工商時報  賴瑩綺

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中國記憶體晶片產業正以前所未有的速度縮小與全球領先廠商間的技術差距。圖／美聯社
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中國記憶體晶片產業正以前所未有的速度縮小與全球領先廠商間的技術差距。根據韓國半導體產業協會最新評估，中國兩大記憶體企業長江儲存（YMTC）和長鑫儲存（CXMT）在關鍵技術領域已實現顯著追趕，其中NAND快閃記憶體領域的技術差距已縮小至約1年，DRAM領域約為2年，而高頻寬記憶體（HBM）領域的差距約為3年。
這項評估結果引發韓國半導體產業廣泛關注。值得注意的是，僅在數年前，業界普遍認為中國記憶體產業與國際先進水準之間仍存在接近5年的技術代差。如今這一差距在多個細分領域被大幅壓縮，顯示中國儲存產業近年來的發展速度遠超市場預期。
在NAND快閃記憶體領域，長江儲存被認為取得最明顯的進展。身為中國最大的NAND廠商，公司近年來持續推動高層數3D NAND技術研發。數據顯示，當三星電子和SK海力士於2025年開始量產300層級NAND產品時，長江儲存已經具備270層產品生產能力。按照目前發展路線，長江儲存預計將在2027年推進400層級NAND產品，意味著其與國際領先企業之間的時間差距將進一步壓縮至約1年左右。
DRAM領域的發展同樣引人關注。韓國企業三星電子和SK海力士於2023年開始量產DDR5產品，而長鑫儲存則在2025年進入DDR5時代，因此被認為與國際領先水準保持約兩年的技術差距。不過，長鑫儲存近年來產品迭代速度明顯加快，不僅已實現LPDDR5X量產，也開始推進LPDDR6產品生產工作，進一步增強市場競爭力。
相較於NAND和傳統DRAM，高頻寬記憶體HBM依舊被視為中國儲存產業最具挑戰性的技術領域。目前產業評估認為，中國HBM技術與國際領先水準之間仍存在約3年的差距。雖然長鑫儲存已經開始HBM3E產品試生產，但良率仍處於較低水平，特別是在TSV矽通孔垂直互聯等核心製造環節上仍面臨明顯技術挑戰。
為了加速HBM研發，中國儲存企業正嘗試更創新的技術路線。報告指出，長鑫儲存正與長江儲存展開合作，利用長江儲存成熟的Xtacking混合鍵結技術建構HBM產品。與傳統透過微凸點連接記憶體晶片的方法不同，這種銅對銅混合鍵合技術能夠直接連接不同晶圓層，縮短電路路徑，提高堆疊效率，並有望在一定程度上降低對先進EUV曝光設備的依賴。
分析師認為，中國儲存企業近年來的進步，不僅體現在實驗室技術驗證階段，更體現在產品量產和產業化能力。隨著產能擴張、人才累積和本土設備配套體系逐步完善，中國儲存產業正從過去單純追趕者的角色，逐漸轉向具備國際競爭力的重要市場參與者。
對韓國儲存產業而言，這項變化同樣具有重要意義。長期以來，三星電子和SK海力士在全球儲存市場佔據領先地位，但隨著中國企業持續縮小差距，未來市場競爭預計將進一步加劇。
儘管在先進HBM產品以及部分高端製程方面，中國企業仍落後於國際領先廠商，但產業觀察人士普遍認為，長江存儲和長鑫存儲近年來展現出的追趕速度已經超出許多人的預期。若當前發展趨勢持續下去，全球儲存產業格局未來數年或將迎來新的變化。