瑞晶成功開發完成40奈米2Gb DDR3
【聯合晚報╱記者徐睦鈞／即時報導】 2010.08.13 10:00 am
日商爾必達與力晶 (5346)合資的瑞晶電子 (4932)宣布，已成功完成爾必達所開發之40奈米2Gb DDR3的試產，良率符合預期，正朝年底前100%導入量產持續邁進。
瑞晶總經理陳正坤表示，瑞晶已順利完成兩台浸潤式微影設備(Immersion Scanner)之裝機程序，其餘設備亦將於11月底前陸續搬入裝機。這使得瑞晶預定年底前100%導入40奈米製程技術，月產出8萬片12吋DRAM晶圓，提供市場主流產品2Gb DDR3之目標可期。
爾必達社長(土反)本幸雄表示，目前瑞晶擁有位於中部科學工業園區之先進12吋晶圓廠R1，除了以爾必達開發之65奈米- XS製程技術，全產能8萬片生產1Gb DDR3產品外；亦全力投入40奈米製程之轉換計畫，以提供高品質、高效能之DRAM產品，並維持領先之競爭力。
【2010/08/13 聯合晚報】@ http://udn.com/