長鑫G5技術平台正式量產，晶圓裸晶產出增逾50%
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2026年9月21日週一 上午8:40

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MoneyDJ新聞 2026-09-21 08:40:15 新聞中心 發佈
綜合港媒及陸媒報導，在《2026世界製造業大會》上，中國DRAM 製造商長鑫存儲(CXMT)宣布第五代DRAM技術平台實現量產，同步展出基於該平台打造的大容量LPDDR5X新品。據介紹，該平台製程水準比肩行業頂尖量產製程節點，為長鑫存儲在高階儲存技術路線上的里程碑式突破。

在關鍵製程方面，G5平台依託四重曝光技術，將記憶體陣列的有源區半間距微縮至11.95奈米，接近全球最頂尖的記憶體量產平台製程；透過變革製程流程、採用新材料，儲存電容深寬比達45:1；開發適配DRAM製程的高介電常數金屬柵(HKMG)製程，成功將G5平台核心功能區高度縮小至6762奈米。

G5微縮製程的突破，推動儲存密度實現大幅提升，每片晶圓產出裸片數量較第四代平台提升至少50%，在產品能效、成本控制上均具備顯著優勢。

本次大會同步展出兩款基於G5平台打造的LPDDR5X量產產品，單顆容量均為24Gb，較上一代同類型產品提升50%，分別採用496Ball、245Ball封裝規格，可適配中高階智慧手機、可攜式消費電子等不同場景需求，目前均已進入規模量產階段。