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英特爾先進製程進化 成本比台積電 CoWoS 低50%
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來源:
財經刊物
發佈於 2026-08-04 02:56
英特爾先進製程進化 成本比台積電 CoWoS 低50%
經濟日報|2026.08.04 02:13
英特爾先進封裝布局傳捷報。外媒報導,英特爾的EMIB-T先進封裝技術良率已突破九成,預計明年開始量產,成本只要台積電(2330)CoWoS的一半,轟動業界,並成功拿下聯發科訂單,博通、mexta等大咖也正評估採用。
由於目前先進封裝產能仍供不應求,外界預期,英特爾EMIB-T現階段不至於分食台積電先進封裝生意,而是分擔客戶需求,但有助英特爾未來搶攻更多訂單,強化自家晶圓代工業務整體實力,最終目的仍是要與台積電競爭。
市場盛傳英特爾先進封裝後段良率已提升至90%以上,達到可量產水準,不過英特爾過往沒有發布良率相關數字,公司並未置評。
外媒《Wccftech》報導,EMIB-T的成本約比台積電CoWoS低50%,主因EMIB-T無需使用成本高昂的大面積矽中介層。
據了解,英特爾EMIB-T至少已贏得聯發科ASIC指標性案件。聯發科在4月法說會僅透露正投資兩種封裝技術方案,且會與這兩種方案的夥伴緊密合作,提供客戶優質高效益的解決方案。
聯發科日前於法說會進一步透露,會協助客戶運用CoWoS與EMIB-T技術,開發各種超大晶片尺寸的高效能ASIC,證實採用英特爾的先進封裝方案。
英特爾先前公布可單獨承接先進封裝業務。該公司EMIB 2.5D封裝方案是嵌入使用面積非常小的矽橋搭配多層布線,來取代其他方案使用的大面積矽中介層,並支援高頻寬記憶體(HBM)整合,標榜最適合當前的AI應用,可提供高頻寬、低延遲的die-to-die連接,更彈性的小晶片配置,以及較低成本與製造複雜度。
根據英特爾釋出的資料,在EMIB 2.5D方案中,EMIB-T版本加入矽穿孔(TSV)技術,強化垂直供電,並支援從其他封裝技術轉換設計。外媒報導,英特爾先進封裝正吸引外部客戶對其晶圓代工業務的關注。EMIB技術能讓設計人員使用2D、2.5D與3D的建構模組,在系統層級最佳化成本、功耗及頻寬。
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