2015/08/06 12:29 時報資訊
【時報-記者柯婉琇綜合外電報導】國外科技新聞網站報導，東芝與新帝本周將宣布雙方共同開發快閃記憶體的合作，已進入新的里程碑。
東芝在今年3月發表48層3D NAND晶片技術，以128Gb MLC（多階儲存單元）裸晶圓（Die）形態做為樣本，而今東芝與其合作夥伴新帝公司已成功將其48層製程應用在256Gb TLC（三階儲存單元）裸晶圓上。東芝將自9月起開始取樣，新帝則已選擇此項技術做為第一個量產的3D NAND快閃記憶體裝置。
東芝與新帝已開始在他們建於日本四日市的第二晶圓廠試產3D NAND晶片，並預計於2016年投入量產。東芝表示，新帝採用此款3D NAND晶片的儲存產品，預計在今年底前出貨。
東芝與新帝所開發的新3D NAND晶片技術，勢必將面臨來自南韓三星電子的競爭；三星開發出的32層128Gb、TLC與MLC兩種配置形式均採用的3D NAND晶片，目前已經出貨。三星亦已發表第三代V-NAND晶片，預計在今年下半年開始量產。
此外，英特爾與美光已宣布他們的32層3D NAND晶片將在第四季之前投入量產，採用的是256Gb MLC裸晶圓與384Gb TLC裸晶圓。