17:19:28
【時報記者王淑以台北報導】美光科技(Micron Technology, Inc.) 宣布推出第三代低延遲DRAM(RLDRAM○R 3記憶體)，一種高頻寬記憶體技術，能更有效的傳輸網路資訊。影像內容、行動應用和雲端計算的蓬勃發展，產生了對更高效網路基礎設施的需求，以能線上傳輸大量資料。與前幾代產品相比，美光新的RLDRAM 3記憶體進一步提高了儲存容量和速度，同時將延遲減至最低，降低了功耗，在網路應用中效能更好。美光的DRAM行銷副總裁Robert Feurle表示，隨著網路內容消費的不斷增長，人們日益需要有一種能支援網路流量增長的技術，美光的RLDRAM 3記憶體滿足了這種需求。對於現有的RLDRAM 2，美光將繼續提供最高水準的技術支援，並計畫長期生產該產品。此外，美光正將其RLDRAM 2產品組合轉入更先進的50nm製程，提高系統效能，降低功耗。