2025/12/26 05:30  
中國傳出突破技術門檻打造出EUV原型機，國內專家認為，僅打出光束而非完整機台，只是透過抄襲、複製邁出追趕技術的第一步。圖為荷商ASML的EUV機台。（路透檔案照）
〔記者洪友芳／新竹報導〕中國傳出突破技術門檻打造出極紫外光（EUV）微影設備原型機。但國內業界專家認為，這只是透過抄襲、複製邁出追趕技術的第一步，能否造出可量產EUV微影設備還有待觀察，可「持續關注」、但「無須過度緊張」，因為中國所謂的EUV技術突破，僅限於能產生EUV光源、並非完整機台。
打臉中國曼哈頓計畫
業界指出，所謂中國曼哈頓計畫只是「打出EUV的光束」，這不等於製造出完整的EUV微影設備；該技術是利用雷射和錫滴（laser-produced plasma）產生符合EUV等級波長的光源，是目前ASML用於先進半導體製程的技術，以維持摩爾定律的持續。

業界推估，ASML從零開始研發微影設備到可量產，共花費十八年，中國透過挖角、抄襲與傾全國之力，宣稱打造原型機只是踏出整個複雜系統中的「第一步」，短期內對產業沒有影響；從長期來看，估計研發時程可能在六年到十年，中國有機會製造出可進入生產的EUV微影設備機台，屆時將可生產三奈米及以下的先進製程晶片。
國內專家認為，真正的威脅來自顛覆性的創新技術，中國處於「追趕」階段、並非「顛覆式創新」；只要中國沿襲現有EUV技術路徑進行追趕、並非「彎道超車」，歐美及台灣等自由世界半導體業就不需過度恐慌，因其追趕的路徑是已知的、可控的，領先者可持續創新，甚至透過「陷阱」誤導複製者，都可維持優勢。

僅是抄襲＋工程優化

專家：凸顯中國科學原創性弱

專家還認為，中國體制傾向於將資源集中在已有突破的「追趕型」技術上，反而吸走原本可能用於真正顛覆式創新的資源；中國打造出EUV微影設備原型機，也是「抄襲加工程優化」模式，凸顯中國在科學層面的原創性較弱。
專家強調，中國在EUV技術上取得初步突破，掌握產生光源的技術，但距離製造可商用的完整EUV微影設備機台仍有非常遙遠的距離，而未來六到十年，自由世界的科技會繼續進步，ASML、台積電等有足夠實力可持續領先。