2026/03/20 15:21  
南韓媒體指出，SK海力士HBM4E 邏輯晶片將採台積電 3 奈米製程。（法新社）
〔財經頻道／綜合報導〕南韓媒體指出，SK海力士的HBM4（第六代HBM高頻寬記憶體）將於今年量產，據悉某些性能方面落後三星電子。為此，SK 海力士（SK Hynix）目前正評估一項計畫，在即將推出的HBM4E（第七代高頻寬記憶體）中，其邏輯晶片（Logic Die）的部分將全面採用台積電3奈米製程，性能超越三星。
《朝鮮日報》20日報導，SK海力士今年向輝達供應的HBM4產品，在記憶體晶片採用的是10奈米級第五代（1b）DRAM製程，在負責運算處理的邏輯晶片則採用台積電12奈米製程。三星電子的HBM4的規格則更先進，記憶體晶片採用10奈米級第六代（1c）DRAM製程，邏輯晶片則採4奈米製程。
報導說，儘管SK海力士憑藉向輝達供應最多的HBM4而鞏固其市場領導地位，但其性能評估結果落後於三星。三星在HBM4的生產流程上採用比SK海力士更先進的技術，聲稱其性能領先，並實現業界首個量產版本。
為扭轉市場評價，業內人士透露，SK海力士計劃在其HBM4E的架構上，其堆疊的記憶體晶片將升級至 10 奈米等級的第六代（1c）DRAM 製程，關鍵的邏輯晶片採用台積電3奈米製程。
一位南韓半導體行業人士表示，隨著客製化 HBM4E 潮流，邏輯晶片的製造從 3 到 12 奈米等不同製程。然而，3 奈米製程仍將是市場上供應HBM4E邏輯晶片的首選。
同時，AMD和Google也宣布計劃在其下一代AI晶片中採用HBM4E，加劇市場競爭。另一位業內人士指出，三星在輝達年度GTC 2026開發者大會上發布HBM4E，表明其意圖搶佔下一代市場先機。SK海力士似乎正在制訂戰略，力圖在下一代HBM的性能方面佔據主導地位，確保技術優勢。
報導提及，SK 海力士計畫將這款搭載3奈米邏輯晶片HBM4E 產品，提供給輝達等主要客戶提供性能最高的產品，據悉，HBM4E將應用於輝達下一代AI晶片「Vera Rubin Ultra」的頂級旗艦版。