長鑫存儲量產12層HBM 與韓廠技術差距縮至3年內

• 2026.04.09 
 
• 20:45 
 
• 工商時報  張漢驊

• 長鑫存儲
• 三星電子
• SK海力士
• HBM
• 高頻寬記憶體

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陸媒快科技報導，中國記憶體晶片廠長鑫存儲（CXMT）已啟動12層高頻寬記憶體（HBM）量產，顯示其技術能力進一步提升，並加速切入AI高階硬體市場。
隨著12層堆疊技術應用，長鑫存儲已具備進軍高階AI應用的關鍵能力。市場觀察指出，中國記憶體產業與韓系龍頭自發展初期累積的技術差距，正逐步縮小。
長鑫存儲投入HBM領域僅約3年，即完成12層產品量產突破。HBM製造關鍵在於DRAM多層晶片的精準鍵合與垂直堆疊製程，技術門檻極高。此次量產，被視為中國半導體製造能力持續提升的重要指標。
目前全球HBM市場仍由三星電子與SK海力士主導。產業人士指出，長鑫存儲與韓系龍頭的製程能力差距，已縮小至3年內。
在產能布局方面，長鑫存儲採取擴大產能策略，將約20％的DRAM產能轉投入HBM生產。完成轉型後，其HBM月產能可望達6萬片晶圓。不過，目前良率仍低於韓國競爭對手，短期目標以滿足中國AI市場需求為主，並為後續拓展海外市場預作準備。
為支應產能擴張，長鑫存儲規劃透過首次公開募股（IPO）募資約42億美元，用於新建HBM產線及升級既有DRAM製造設施。公司也持續與設備供應商合作，預計2026年完成核心產線建設，並進一步優化鍵合與散熱等關鍵技術。
隨著長鑫存儲推進HBM產品量產，對三星電子與SK海力士等既有龍頭形成競爭壓力。市場預期，下一階段技術競逐將聚焦16層堆疊及混合鍵合等更先進製程發展。