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智原USB 3.0實體層適用聯電90奈米HS製程
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發達公告
eric9802
發達集團首席分析師
來源:
財經刊物
發佈於 2010-04-01 17:17
智原USB 3.0實體層適用聯電90奈米HS製程
ASIC設計服務暨IP供應商智原科技(Faraday),日前發表適用於聯電90奈米高速(HS)製程的USB 3.0實體層,此IP符合USB 3.0第1.0版的功能規格及電氣特性,最高速度可達5.0Gbps。同時,智原推出的IP功耗以及面積較小,將可大幅提升客戶在其系統設計上的彈性及擴大其目標應用市場。
USB 3.0基於可向下相容,以及傳輸速度較USB 2.0提升十倍的優勢,儼然可望成為下一代新的主流傳輸規格。但由於其較大的功耗及面積,將導致未來在一些手持式或消費性電子的裝置端,出現市場發展的瓶頸。有鑑於此,智原自率先發表0.13微米的USB 3.0解決方案以來,仍持續針對降低功耗以及縮減晶片尺寸部分,進行最根本的架構改良。
智原科技策略長王國雍表示:「我們很高興繼推出0.13微米 USB 3.0解決方案之後,很快地又推出90奈米方案。目前已有主控端客戶採用智原的0.13微米IP、並透過我們的設計服務而成功量產主機板與express card等控制晶片,而裝置端部分也有客戶成功量產外接式硬碟與快閃儲存裝置。我們相信這次推出的90奈米方案,更將以其低功耗與小尺寸的效能表現,協助客戶實現更精密的SoC設計,並擴及到印表機、監控系統、伺服器與手持應用等市場。」
為了達到預設的面積與功耗目標,智原的設計團隊在IP的架構上進行了精密的改良,包括以規律的PLL結構來減少設計角落(design corners),以降低面積浪費。同時,智原在CDR部分引進dual-loop half-rate架構,並採用主動式peaking方式來提高傳輸器(transmitter)的有效頻寬,使其在低功耗的狀態下,仍能達到5Gbps的傳輸效率。
智原科技研發處長曾玉光表示:「智原在高速傳輸介面的技術,已經累積了豐富的開發經驗。而這次藉著90奈米USB 3.0 IP的推出,我們團隊再度展現了優異的設計能力。下一進程,我們將陸續開發聯電的0.11微米鋁製程、以及55奈米製程IP,以提供給客戶更完整與兼顧不同需求的高度競爭力解決方案。」
智原的90奈米(HS) USB 3.0實體層IP現已可對外供應。
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