台積電：28奈米製程 2010年Q1量產台積電：28奈米製程 2010年Q1量產
國內晶圓代工廠台積電 (2330) 今天宣佈，公司將28奈米製程定位為全世代製程，並將提供包括高介電層/金屬閘 (HKMG)及氮氧化矽 (SiON)等兩種材料選擇，以支援不同產品應用及效能需求，預計2010年第一季正式量產。
台積電表示，以往消費者需要的是低漏電且電池壽命長的可攜式電子產品，而今消費者對無線通訊設備的需求，除了傳統的通話和簡訊發送功能之外，更希望具備上網、視訊串流、音樂、行動電視及衛星導航等功能。
在電池壽命方面，目前消費者更關心操作功耗的多寡；台積電指出，氮氧化矽材料的閘電容量較低，操作功耗較一般高介電層/金屬閘要小，為受到電力限制的產品提供較低的總功耗優勢。
台積電指出，以氮氧化矽為基礎的28奈米低耗電高效能製程，與40奈米低耗電製程相比，閘密度預計可增為2倍，速度可增加最多達50%，功耗可減少30%至50%，可應用於行動基頻、應用處理器、無線網路與可攜式消費性電子產品等。
至於28奈米高效能製程，是台積電第一個使用高介電層/金屬閘的製程，台積電指出，這一製程技術將著重於中央處理器、繪圖處理器及可程式邏輯閘陣列等高效能的產品應用。
國內晶圓代工廠台積電 (2330) 今天宣佈，公司將28奈米製程定位為全世代製程，並將提供包括高介電層/金屬閘 (HKMG)及氮氧化矽 (SiON)等兩種材料選擇，以支援不同產品應用及效能需求，預計2010年第一季正式量產。
台積電表示，以往消費者需要的是低漏電且電池壽命長的可攜式電子產品，而今消費者對無線通訊設備的需求，除了傳統的通話和簡訊發送功能之外，更希望具備上網、視訊串流、音樂、行動電視及衛星導航等功能。
在電池壽命方面，目前消費者更關心操作功耗的多寡；台積電指出，氮氧化矽材料的閘電容量較低，操作功耗較一般高介電層/金屬閘要小，為受到電力限制的產品提供較低的總功耗優勢。
台積電指出，以氮氧化矽為基礎的28奈米低耗電高效能製程，與40奈米低耗電製程相比，閘密度預計可增為2倍，速度可增加最多達50%，功耗可減少30%至50%，可應用於行動基頻、應用處理器、無線網路與可攜式消費性電子產品等。
至於28奈米高效能製程，是台積電第一個使用高介電層/金屬閘的製程，台積電指出，這一製程技術將著重於中央處理器、繪圖處理器及可程式邏輯閘陣列等高效能的產品應用。