台積電（2330）先進製程大量採用獨立第三方矽智財（third party IP），在嵌入式非揮發性記憶體（eNVM）導入力旺（3529）矽智財後，16奈米鰭式場效電晶體（FinFET）製程也將採用轉投資公司創意（3443）DDR4矽智財。創意表示，DDR4 IP已採用台積電16奈米FinFET製程並通過晶片驗證。
法人表示，64位元ARM應用處理器已支援DDR4，可望快速導入平板電腦、智慧電視及機上盒、微型伺服器、4G LTE基地台等市場，創意DDR4 IP將在明年被台積電大量導入16奈米技術中。由於先進製程需要眾多矽智財支援，力旺股價已一飛沖天，昨日來到274.5元，創意的矽智財今、明兩年將配合台積電導入20/16奈米製程，股價可望出現比價效應。
創意第1季營收季減3％達16.73億元，毛利率達28.2％，稅後淨利1.38億元，每股淨利1.03元，優於市場預期。創意第2季受惠於28奈米及20奈米晶片完成設計定案（tape-out）及委託設計案（NRE）陸續入帳，矽智財及特殊應用晶片（ASIC）進入出貨旺季，法人推估創意第2季營收有機會季增約15％。
創意電子總裁賴俊豪表示，16奈米FinFET製程DDR4 IP代表真正設計的突破，這是目前創意電子採用台積電16奈米FinFET製程技術最快速的IP，也代表先進技術設計人員能夠儘快展開新一代裝置設計工作的絕佳良機。